LNX2V123MSEJBN jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LNX2V123MSEJBN, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LNX2V123MSEJBN przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LNX2V123MSEJBN z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LNX2V123MSEJBN
- Part Number:
- LNX2V123MSEJBN
- Producent:
- Nichicon
- Opis:
- CAP ALUM 12000UF 20% 350V SCREW
- Wielkość zbiorów:
- 22963 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 350V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 3.543" Dia (90.00mm) |
| Seria: | LNX |
| Ripple Current @ Low Frequency: | 24.8A @ 120Hz |
| Ripple Current @ High Frequency: | 34.72A @ 10kHz |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | Polar |
| Package / Case: | Radial, Can - Screw Terminals |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 29 Weeks |
| Żywotność @ Temp.: | 20000 Hrs @ 85°C |
| Główny odstęp: | 1.252" (31.80mm) |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 6.024" (153.00mm) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | - |
| szczegółowy opis: | 12000µF 350V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 20000 Hrs @ 85°C |
| Pojemność: | 12000µF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LNX2V123MSEJBN
Latest Aktualności
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM