LNT1H333MSEB jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LNT1H333MSEB, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LNT1H333MSEB przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LNT1H333MSEB z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LNT1H333MSEB
- Part Number:
- LNT1H333MSEB
- Producent:
- Nichicon
- Opis:
- CAP ALUM 33000UF 20% 50V SCREW
- Wielkość zbiorów:
- 47618 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.LNT1H333MSEB.pdf2.LNT1H333MSEB.pdf3.LNT1H333MSEB.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 50V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 2.008" Dia (51.00mm) |
| Seria: | LNT |
| Ripple Current @ Low Frequency: | 8A @ 120Hz |
| Ripple Current @ High Frequency: | 12A @ 10kHz |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | Polar |
| Package / Case: | Radial, Can - Screw Terminals |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 29 Weeks |
| Żywotność @ Temp.: | 2000 Hrs @ 105°C |
| Główny odstęp: | 0.866" (22.00mm) |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 4.843" (123.00mm) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | - |
| szczegółowy opis: | 33000µF 50V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 2000 Hrs @ 105°C |
| Pojemność: | 33000µF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LNT1H333MSEB
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego