LMH6646MM jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LMH6646MM, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LMH6646MM przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LMH6646MM z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LMH6646MM
- Part Number:
- LMH6646MM
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC OPAMP VFB 55MHZ RRO 8VSSOP
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 20908 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LMH6646MM.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze / podwójne (±): | 2.5 V ~ 12 V, ±1.25 V ~ 6 V |
| Napięcie - Wejście offset: | 1mV |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-VSSOP |
| Szybkość narastania: | 22 V/µs |
| Seria: | VIP10™ |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Typ wyjścia: | Push-Pull, Rail-to-Rail |
| Inne nazwy: | 296-36278-2 LMH6646MMTR LMH6646MMTR-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba obwodów: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| szczegółowy opis: | Voltage Feedback Amplifier 2 Circuit Push-Pull, Rail-to-Rail 8-VSSOP |
| Obecny - Dostawa: | 725µA |
| Obecny - Wyjście / Channel: | 20mA |
| Obecny - diagonalna wejściowe: | 650nA |
| Podstawowy numer części: | LMH6646 |
| Amplifier Type: | Voltage Feedback |
| 3dB Pasmo: | 55MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LMH6646MM
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił