LM5110-3SDX jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LM5110-3SDX, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LM5110-3SDX przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LM5110-3SDX z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LM5110-3SDX
- Part Number:
- LM5110-3SDX
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC DVR DUAL 5A NEG VOUT 10WSON
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 56617 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LM5110-3SDX.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3.5 V ~ 14 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 10-WSON (4x4) |
| Seria: | - |
| Czas narastania / spadku (typ): | 14ns, 12ns |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 10-WDFN Exposed Pad |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Częstotliwość wejściowa: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Napięcie logiczne - VIL, VIH: | 0.8V, 2.2V |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Typ wejścia: | Inverting, Non-Inverting |
| Typ bramy: | N-Channel MOSFET |
| Konfiguracja napędzana: | Low-Side |
| szczegółowy opis: | Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 10-WSON (4x4) |
| Prąd - szczytowe wyjście (źródło, zlewozmywak): | 3A, 5A |
| Baza-emiter Napięcie nasycenia (Max): | Independent |
| Podstawowy numer części: | LM5110 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LM5110-3SDX
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego