LM3354MM-4.1/NOPB jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LM3354MM-4.1/NOPB, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LM3354MM-4.1/NOPB przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LM3354MM-4.1/NOPB z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LM3354MM-4.1/NOPB
- Part Number:
- LM3354MM-4.1/NOPB
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC REG SWITCHD CAP 4.1V 10-MSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 35652 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LM3354MM-4.1/NOPB.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście (Min / Fixed): | 4.1V |
| Napięcie - Wyjście (Max): | - |
| Napięcie - Wejście (Min): | 2.5V |
| Napięcie - wejściowa (maks): | 5.5V |
| topologia: | Charge Pump |
| synchroniczny prostownik: | No |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 10-VSSOP |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Typ wyjścia: | Fixed |
| Konfiguracja wyjściowa: | Positive |
| Inne nazwy: | LM3354MM-4.1 LM3354MM-4.1/NOPBTR LM3354MM-4.1TR LM3354MM-4.1TR-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Liczba wyjść: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkcjonować: | Step-Up/Step-Down |
| Częstotliwość - Przełączanie: | 1MHz |
| szczegółowy opis: | Charge Pump Switching Regulator IC Positive Fixed 4.1V 1 Output 90mA 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Obecny - Wyjście: | 90mA |
| Podstawowy numer części: | LM3354 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LM3354MM-4.1/NOPB
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia