LM25118Q1MHX/NOPB jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LM25118Q1MHX/NOPB, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LM25118Q1MHX/NOPB przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LM25118Q1MHX/NOPB z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LM25118Q1MHX/NOPB
- Part Number:
- LM25118Q1MHX/NOPB
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC REG CTRLR BUCK 20TSSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 39753 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LM25118Q1MHX/NOPB.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 3 V ~ 42 V |
| topologia: | Buck, Boost |
| synchroniczny prostownik: | No |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 20-HTSSOP |
| Seria: | Automotive, AEC-Q100 |
| Interfejsy szeregowe: | - |
| Opakowania: | Original-Reel® |
| Package / Case: | 20-PowerTSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Typ wyjścia: | Transistor Driver |
| Fazy wyjściowe: | 1 |
| Konfiguracja wyjściowa: | Positive |
| Inne nazwy: | 296-43224-6 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Liczba wyjść: | 1 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkcjonować: | Step-Up, Step-Down |
| Częstotliwość - Przełączanie: | Up to 500kHz |
| Cykl pracy (maks.): | 75% |
| szczegółowy opis: | Buck, Boost Regulator Positive Output Step-Up, Step-Down DC-DC Controller IC 20-HTSSOP |
| Funkcje sterowania: | Enable, Frequency Control, Ramp, Soft Start |
| Synchronizacja zegara: | Yes |
| Podstawowy numer części: | LM25118 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LM25118Q1MHX/NOPB
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia