LI1812D121R-00 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LI1812D121R-00, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LI1812D121R-00 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LI1812D121R-00 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LI1812D121R-00
- Part Number:
- LI1812D121R-00
- Producent:
- Laird Technologies
- Opis:
- FERRITE BEAD 120 OHM 1812 1LN
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 39825 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
| Seria: | LI |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 1812 (4532 Metric) |
| Inne nazwy: | 240-1033-2 LI1812C121R LI1812C121R-00 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Liczba linii: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | Not Applicable |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Impedancja @ Częstotliwość: | 120 Ohms @ 100MHz |
| Wysokość (max): | 0.065" (1.65mm) |
| Rodzaj filtra: | Power, Signal Line |
| Oporność DC (DCR) (maks.): | 400 mOhm |
| Karta Grubość (mm): | 400mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LI1812D121R-00
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen