LGJ10145TS-3R3N3R7-H jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LGJ10145TS-3R3N3R7-H, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LGJ10145TS-3R3N3R7-H przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LGJ10145TS-3R3N3R7-H z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LGJ10145TS-3R3N3R7-H
- Part Number:
- LGJ10145TS-3R3N3R7-H
- Producent:
- TDK Corporation
- Opis:
- FIXED IND 3.3UH 3.7A 16.1 MOHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 51504 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LGJ10145TS-3R3N3R7-H.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Tolerancja: | ±30% |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.398" L x 0.398" W (10.10mm x 10.10mm) |
| Zastawianie: | Shielded |
| Seria: | LGJ |
| oceny: | AEC-Q200 |
| P @ Częstotliwość: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 2-SMD |
| Inne nazwy: | 445-15007-2 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | Ferrite |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 1kHz |
| Indukcyjność: | 3.3µH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.177" (4.50mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | - |
| szczegółowy opis: | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 3.7A 16.1 mOhm 2-SMD |
| DC Resistance (DCR): | 16.1 mOhm |
| Aktualna ocena: | 3.7A |
| Obecny - Nasycenie: | 4.9A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LGJ10145TS-3R3N3R7-H
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS