LFEC3E-4F256I jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LFEC3E-4F256I, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LFEC3E-4F256I przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LFEC3E-4F256I z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LFEC3E-4F256I
- Part Number:
- LFEC3E-4F256I
- Producent:
- Lattice Semiconductor
- Opis:
- IC FPGA 160 I/O 256FBGA
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 46255 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LFEC3E-4F256I.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 1.14 V ~ 1.26 V |
| Wszystkich RAM Bity: | 56320 |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 256-FPBGA (17x17) |
| Seria: | EC |
| Package / Case: | 256-BGA |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 100°C (TJ) |
| Ilość Logic Elements / Komórki: | 3100 |
| Liczba I / O: | 160 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Podstawowy numer części: | LFEC3 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LFEC3E-4F256I
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen