LFE2M35SE-5FN484C jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LFE2M35SE-5FN484C, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LFE2M35SE-5FN484C przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LFE2M35SE-5FN484C z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LFE2M35SE-5FN484C
- Part Number:
- LFE2M35SE-5FN484C
- Producent:
- Lattice Semiconductor
- Opis:
- IC FPGA 303 I/O 484FBGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 47290 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 1.14 V ~ 1.26 V |
| Wszystkich RAM Bity: | 2151424 |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 484-FPBGA (23x23) |
| Seria: | ECP2M |
| Package / Case: | 484-BBGA |
| Inne nazwy: | 220-1215 LFE2M35SE5FN484C |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 85°C (TJ) |
| Ilość Logic Elements / Komórki: | 34000 |
| Ilość Labs / CLBs: | 4250 |
| Liczba I / O: | 303 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 9 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Podstawowy numer części: | LFE2M35 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LFE2M35SE-5FN484C
Latest Aktualności
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku