LBR2012T470M jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LBR2012T470M, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LBR2012T470M przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LBR2012T470M z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LBR2012T470M
- Part Number:
- LBR2012T470M
- Producent:
- Taiyo Yuden
- Opis:
- FIXED IND 47UH 75MA 1.7 OHM SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 45336 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.LBR2012T470M.pdf2.LBR2012T470M.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Tolerancja: | ±20% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 0805 (2012 Metric) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Zastawianie: | Unshielded |
| Seria: | LB, R Type |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 0805 (2012 Metric) |
| Inne nazwy: | 587-5884-2 LBR2012T470M-ND LQ LB R2012T470M |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | - |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 5 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 2.52MHz |
| Indukcyjność: | 47µH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.057" (1.45mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 11MHz |
| szczegółowy opis: | 47µH Unshielded Wirewound Inductor 75mA 1.7 Ohm 0805 (2012 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | 1.7 Ohm |
| Aktualna ocena: | 75mA |
| Obecny - Nasycenie: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LBR2012T470M
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen