LBH1608T56NJ jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LBH1608T56NJ, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LBH1608T56NJ przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LBH1608T56NJ z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LBH1608T56NJ
- Part Number:
- LBH1608T56NJ
- Producent:
- Taiyo Yuden
- Opis:
- FIXED IND 56NH 300MA 650 MOHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 36785 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LBH1608T56NJ.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Tolerancja: | ±5% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 0603 (1608 Metric) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
| Zastawianie: | Unshielded |
| Seria: | LB, H Type |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | 14 @ 100MHz |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 0603 (1608 Metric) |
| Inne nazwy: | LQ LB H1608T56NJ |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 100MHz |
| Indukcyjność: | 56nH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.035" (0.90mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 2.2GHz |
| szczegółowy opis: | 56nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 650 mOhm 0603 (1608 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | 650 mOhm |
| Aktualna ocena: | 300mA |
| Obecny - Nasycenie: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LBH1608T56NJ
Latest Aktualności
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku