LAN02KR2R2J jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LAN02KR2R2J, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LAN02KR2R2J przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LAN02KR2R2J z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LAN02KR2R2J
- Part Number:
- LAN02KR2R2J
- Producent:
- Taiyo Yuden
- Opis:
- FIXED IND 2.2UH 410MA 470 MOHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 26764 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LAN02KR2R2J.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | - |
| Tolerancja: | ±5% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Axial |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.094" Dia x 0.142" L (2.40mm x 3.60mm) |
| Zastawianie: | Unshielded |
| Seria: | LA, N Type |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | 50 @ 7.96MHz |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Axial |
| Inne nazwy: | LA LAN 02KR 2R2J |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 7.96MHz |
| Indukcyjność: | 2.2µH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 90MHz |
| szczegółowy opis: | 2.2µH Unshielded Inductor 410mA 470 mOhm Max Axial |
| DC Resistance (DCR): | 470 mOhm Max |
| Aktualna ocena: | 410mA |
| Obecny - Nasycenie: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LAN02KR2R2J
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił