L0603C4N7SRMST jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla L0603C4N7SRMST, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla L0603C4N7SRMST przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup L0603C4N7SRMST z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
L0603C4N7SRMST
- Part Number:
- L0603C4N7SRMST
- Producent:
- KEMET
- Opis:
- FIXED IND 4.7NH 300MA 160 MOHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 29157 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- L0603C4N7SRMST.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Multilayer |
| Tolerancja: | ±0.3nH |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 0603 (1608 Metric) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm) |
| Zastawianie: | Unshielded |
| Seria: | L-RMS |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | 13 @ 100MHz |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 0603 (1608 Metric) |
| Inne nazwy: | 399-9574-2 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | Ceramic |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 100MHz |
| Indukcyjność: | 4.7nH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.028" (0.71mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 6.5GHz |
| szczegółowy opis: | 4.7nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 160 mOhm Max 0603 (1608 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | 160 mOhm Max |
| Aktualna ocena: | 300mA |
| Obecny - Nasycenie: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do L0603C4N7SRMST
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia