KZE10VB101M5X11LL jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla KZE10VB101M5X11LL, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla KZE10VB101M5X11LL przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup KZE10VB101M5X11LL z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
KZE10VB101M5X11LL
- Part Number:
- KZE10VB101M5X11LL
- Producent:
- Nippon Chemi-Con
- Opis:
- CAP ALUM 100UF 20% 10V RADIAL
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 38764 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- KZE10VB101M5X11LL.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 10V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.197" Dia (5.00mm) |
| Seria: | KZE |
| Ripple Current @ Low Frequency: | 100mA @ 120Hz |
| Ripple Current @ High Frequency: | 250mA @ 100kHz |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | Polar |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial, Can |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Żywotność @ Temp.: | 2000 Hrs @ 105°C |
| Główny odstęp: | 0.079" (2.00mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Impedancja: | 300 mOhms |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.433" (11.00mm) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | - |
| szczegółowy opis: | 100µF 10V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C |
| Pojemność: | 100µF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do KZE10VB101M5X11LL
Latest Aktualności
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku