KLZ2012MHR4R7WTD25 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla KLZ2012MHR4R7WTD25, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla KLZ2012MHR4R7WTD25 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup KLZ2012MHR4R7WTD25 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
KLZ2012MHR4R7WTD25
- Part Number:
- KLZ2012MHR4R7WTD25
- Producent:
- TDK Corporation
- Opis:
- FIXED IND 4.7UH 500MA 390 MOHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 55481 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- KLZ2012MHR4R7WTD25.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Multilayer |
| Tolerancja: | ±20% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 0805 (2012 Metric) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Zastawianie: | Shielded |
| Seria: | KLZ-HR |
| oceny: | AEC-Q200 |
| P @ Częstotliwość: | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 0805 (2012 Metric) |
| Inne nazwy: | 445-174994-1 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | Ferrite |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 40 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 2MHz |
| Indukcyjność: | 4.7µH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.057" (1.45mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | - |
| cechy: | Soft Termination |
| szczegółowy opis: | 4.7µH Shielded Multilayer Inductor 500mA 390 mOhm 0805 (2012 Metric) Soft Termination |
| DC Resistance (DCR): | 390 mOhm |
| Aktualna ocena: | 500mA |
| Obecny - Nasycenie: | 180mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do KLZ2012MHR4R7WTD25
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia