KDZTFTR5.6B jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla KDZTFTR5.6B, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla KDZTFTR5.6B przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup KDZTFTR5.6B z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
KDZTFTR5.6B
- Part Number:
- KDZTFTR5.6B
- Producent:
- LAPIS Semiconductor
- Opis:
- DIODE ZENER 5.6V 1W PMDU
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 42510 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- KDZTFTR5.6B.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Podział: | PMDU |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Moc - Max: | 1W |
| Polaryzacja: | SOD-123F |
| Inne nazwy: | KDZTFTR5.6BTR |
| temperatura robocza: | - |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | KDZTFTR5.6B |
| Impedancja (Max) (Zzt): | 5.6V |
| Rozszerzony opis: | Zener Diode 1W Surface Mount PMDU |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | - |
| Diode Configuration: | 20µA @ 1.5V |
| Opis: | DIODE ZENER 5.6V 1W PMDU |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do KDZTFTR5.6B
Latest Aktualności
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU