KBU2510-G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla KBU2510-G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla KBU2510-G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup KBU2510-G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
KBU2510-G
- Part Number:
- KBU2510-G
- Producent:
- Comchip Technology
- Opis:
- RECT BRIDGE CELL 1000V 25A KBU
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 31475 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- KBU2510-G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | Single Phase |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 3.6A |
| Napięcie - Podział: | KBU |
| Technologia: | Standard |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tray |
| Polaryzacja: | 4-SIP, KBU |
| Inne nazwy: | 641-1362 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | KBU2510-G |
| Rozszerzony opis: | Bridge Rectifier Single Phase 1000V 3.6A Through Hole KBU |
| Diode Configuration: | 10µA @ 1000V |
| Opis: | RECT BRIDGE CELL 1000V 25A KBU |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 1.1V @ 12.5A |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 1000V |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do KBU2510-G
Latest Aktualności
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM