JJD0E408MSEG jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla JJD0E408MSEG, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla JJD0E408MSEG przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup JJD0E408MSEG z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
JJD0E408MSEG
- Part Number:
- JJD0E408MSEG
- Producent:
- Nichicon
- Opis:
- CAP 4000F 20% 2.5V CHASSIS MOUNT
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 56936 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- JJD0E408MSEG.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 2.5V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Zakończenie: | Screw Terminals |
| Rozmiar / Wymiar: | 2.500" Dia (63.50mm) |
| Seria: | EVerCAP® JJD |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial, Can - Screw Terminals |
| Inne nazwy: | 493-3327 |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 60°C |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Żywotność @ Temp.: | 2000 Hrs @ 60°C |
| Główny odstęp: | 1.126" (28.60mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 6.024" (153.00mm) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 2.2 mOhm |
| szczegółowy opis: | 4000F (EDLC) Supercapacitor 2.5V Radial, Can - Screw Terminals 2.2 mOhm 2000 Hrs @ 60°C |
| Pojemność: | 4000F |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do JJD0E408MSEG
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia