JANTX2N7334 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla JANTX2N7334, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla JANTX2N7334 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup JANTX2N7334 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
JANTX2N7334
- Part Number:
- JANTX2N7334
- Producent:
- Microsemi
- Opis:
- MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 28709 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- JANTX2N7334.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | - |
| Napięcie - Podział: | MO-036AB |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 700 mOhm @ 600mA, 10V |
| Seria: | Military, MIL-PRF-19500/597 |
| Stan RoHS: | Bulk |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 1A |
| Moc - Max: | 1.4W |
| Polaryzacja: | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Inne nazwy: | JANTX2N7334-MIL |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | JANTX2N7334 |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 60nC @ 10V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| Cecha FET: | 4 N-Channel |
| Rozszerzony opis: | Mosfet Array 4 N-Channel 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | Standard |
| Opis: | MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 100V |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do JANTX2N7334
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego