JAN1N5616 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla JAN1N5616, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla JAN1N5616 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup JAN1N5616 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
JAN1N5616
- Part Number:
- JAN1N5616
- Producent:
- Microsemi
- Opis:
- DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 20531 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- JAN1N5616.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.3V @ 3A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 400V |
| Prędkość: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Seria: | Military, MIL-PRF-19500/427 |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 2µs |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | A, Axial |
| Inne nazwy: | 1086-2104 1086-2104-MIL |
| Temperatura pracy - złącze: | -65°C ~ 200°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Typ diody: | Standard |
| szczegółowy opis: | Diode Standard 400V 1A Through Hole |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 500nA @ 400V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 1A |
| Pojemność @ VR F: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do JAN1N5616
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia