JAN1N4954US jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla JAN1N4954US, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla JAN1N4954US przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup JAN1N4954US z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
JAN1N4954US
- Part Number:
- JAN1N4954US
- Producent:
- Microsemi
- Opis:
- DIODE ZENER 6.8V 5W D5B
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 46282 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- JAN1N4954US.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie Zenera - (nominalne) (Vz): | 6.8V |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.5V @ 1A |
| Tolerancja: | ±5% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | D-5B |
| Seria: | Military, MIL-PRF-19500/356 |
| Moc - Max: | 5W |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | E-MELF |
| Inne nazwy: | 1086-2013 1086-2013-MIL |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Impedancja (Max) (Zzt): | 1 Ohms |
| szczegółowy opis: | Zener Diode 6.8V 5W ±5% Surface Mount D-5B |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 150µA @ 5.2V |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do JAN1N4954US
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen