IXXH50N60B3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IXXH50N60B3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IXXH50N60B3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IXXH50N60B3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IXXH50N60B3
- Part Number:
- IXXH50N60B3
- Producent:
- IXYS Corporation
- Opis:
- IGBT 600V 120A 600W TO247
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 44223 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IXXH50N60B3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Przesunięcie (VT): | 360V, 36A, 5 Ohm, 15V |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 120A |
| Napięcie - Podział: | TO-247 (IXXH) |
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | PT |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 600V |
| Stan testu: | 27ns/100ns |
| Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C: | 70nC |
| Przełączanie Energy: | 200A |
| Seria: | GenX3™, XPT™ |
| Stan RoHS: | Tube |
| Moc - Max: | 600W |
| Polaryzacja: | TO-247-3 |
| temperatura robocza: | - |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Numer części producenta: | IXXH50N60B3 |
| Typ wejścia: | Standard |
| Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce: | 1.8V @ 15V, 36A |
| brama Charge: | 670µJ (on), 740µJ (off) |
| Rozszerzony opis: | IGBT PT 600V 120A 600W Through Hole TO-247 (IXXH) |
| Opis: | IGBT 600V 120A 600W TO247 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IXXH50N60B3
Latest Aktualności
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU