IXDN509D1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IXDN509D1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IXDN509D1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IXDN509D1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IXDN509D1
- Part Number:
- IXDN509D1
- Producent:
- IXYS Corporation
- Opis:
- IC GATE DRIVER SGL 9A 6-DFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 42786 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IXDN509D1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 4.5 V ~ 30 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 6-DFN (4x5) |
| Seria: | - |
| Czas narastania / spadku (typ): | 25ns, 23ns |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | 6-VDFN Exposed Pad |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Częstotliwość wejściowa: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Napięcie logiczne - VIL, VIH: | 0.8V, 2.4V |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | Non-Inverting |
| Typ bramy: | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Konfiguracja napędzana: | Low-Side |
| szczegółowy opis: | Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 6-DFN (4x5) |
| Prąd - szczytowe wyjście (źródło, zlewozmywak): | 9A, 9A |
| Baza-emiter Napięcie nasycenia (Max): | Single |
| Podstawowy numer części: | IXD*509 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IXDN509D1
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen