ISL9305IRTHWCNYZ-T7A jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ISL9305IRTHWCNYZ-T7A, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ISL9305IRTHWCNYZ-T7A przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ISL9305IRTHWCNYZ-T7A z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ISL9305IRTHWCNYZ-T7A
- Part Number:
- ISL9305IRTHWCNYZ-T7A
- Producent:
- Intersil
- Opis:
- IC REG QD BUCK/LINEAR 16TQFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 55573 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ISL9305IRTHWCNYZ-T7A.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| w / Inspektora: | No |
| w / Sequencer: | No |
| w / LED Driver: | No |
| Napięcie / Prąd - Wyjście 3: | 3.3V, 300mA |
| Napięcie / Prąd - Wyjście 2: | 1.8V, 1.5A |
| Napięcie / Prąd - Wyjście 1: | 1.2V, 1.5A |
| Napięcie - Dostawa: | 1.5 V ~ 5.5 V |
| topologia: | Step-Down (Buck) (2), Linear (LDO) (2) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 16-TQFN (4x4) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 16-WQFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | ISL9305IRTHWCNYZ-T7ATR ISL9305IRTHWCNYZT7A |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba wyjść: | 4 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 17 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość - Przełączanie: | 3MHz |
| szczegółowy opis: | Linear And Switching Voltage Regulator IC 4 Output Step-Down (Buck) (2), Linear (LDO) (2) 3MHz 16-TQFN (4x4) |
| Podstawowy numer części: | ISL9305 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ISL9305IRTHWCNYZ-T7A
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia