ISL84684IRZ-T jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ISL84684IRZ-T, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ISL84684IRZ-T przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ISL84684IRZ-T z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ISL84684IRZ-T
- Part Number:
- ISL84684IRZ-T
- Producent:
- Intersil
- Opis:
- IC SWITCH DUAL SPDT 10TDFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 29753 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ISL84684IRZ-T.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze (V +): | 1.65 V ~ 3.6 V |
| Napięcie - Zasilanie, Podwójne (V ±): | - |
| Czas przełączania (Ton, Toff) (maks.): | 50ns, 27ns |
| Przełącznik: | SPDT |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 10-TDFN (3x3) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 10-WFDFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | ISL84684IRZ-TTR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Oporność na terenie (maks.): | 500 mOhm |
| Liczba obwodów: | 2 |
| Obwód multipleksera / demultipleksera: | 2:1 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | 2 Circuit IC Switch 2:1 500 mOhm 10-TDFN (3x3) |
| Prąd - wyciek (IS (wyłączony)) (maks.): | 4nA |
| Przesłuchy: | -85dB @ 100kHz |
| Wtrysk ładowania: | 94pC |
| Dopasowanie kanału do kanału (ΔRon): | 55 mOhm |
| Kanał (Capacitance) (CS (wyłączone), CD (wyłączone)): | 65pF |
| Podstawowy numer części: | ISL84684 |
| 3dB Pasmo: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ISL84684IRZ-T
Latest Aktualności
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash