ISL78227ARZ-T7A jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ISL78227ARZ-T7A, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ISL78227ARZ-T7A przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ISL78227ARZ-T7A z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ISL78227ARZ-T7A
- Part Number:
- ISL78227ARZ-T7A
- Producent:
- Intersil
- Opis:
- IC REG CTRLR BOOST 32WFQFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 29782 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ISL78227ARZ-T7A.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 5 V ~ 55 V |
| topologia: | Boost |
| synchroniczny prostownik: | Yes |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 32-QFN (5x5) |
| Seria: | Automotive, AEC-Q100 |
| Interfejsy szeregowe: | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 32-VFQFN Exposed Pad |
| Typ wyjścia: | Transistor Driver |
| Fazy wyjściowe: | 2 |
| Konfiguracja wyjściowa: | Positive |
| Inne nazwy: | ISL78227ARZ-T7ACT |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Liczba wyjść: | 2 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 5 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkcjonować: | Step-Up |
| Częstotliwość - Przełączanie: | 50kHz ~ 1.1MHz |
| Cykl pracy (maks.): | 89% |
| szczegółowy opis: | Boost Regulator Positive Output Step-Up DC-DC Controller IC 32-QFN (5x5) |
| Funkcje sterowania: | Dead Time Control, Enable, Frequency Control, Phase Control, Power Good, Soft Start, Tracking |
| Synchronizacja zegara: | Yes |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ISL78227ARZ-T7A
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia