ISL6613IR-T jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ISL6613IR-T, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ISL6613IR-T przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ISL6613IR-T z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ISL6613IR-T
- Part Number:
- ISL6613IR-T
- Producent:
- Intersil
- Opis:
- IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 49844 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ISL6613IR-T.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 10.8 V ~ 13.2 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 10-DFN (3x3) |
| Seria: | - |
| Czas narastania / spadku (typ): | 26ns, 18ns |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 10-VFDFN Exposed Pad |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Częstotliwość wejściowa: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Napięcie logiczne - VIL, VIH: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Typ wejścia: | Non-Inverting |
| Wysoka strona napięcie - Max (Bootstrap): | 36V |
| Typ bramy: | N-Channel MOSFET |
| Konfiguracja napędzana: | Half-Bridge |
| szczegółowy opis: | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 10-DFN (3x3) |
| Prąd - szczytowe wyjście (źródło, zlewozmywak): | 1.25A, 2A |
| Baza-emiter Napięcie nasycenia (Max): | Synchronous |
| Podstawowy numer części: | ISL6613 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ISL6613IR-T
Latest Aktualności
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU