ISL22444UFR20Z jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ISL22444UFR20Z, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ISL22444UFR20Z przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ISL22444UFR20Z z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ISL22444UFR20Z
- Part Number:
- ISL22444UFR20Z
- Producent:
- Intersil
- Opis:
- IC POT DGTL 256TP LN LP 20-QFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 56914 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ISL22444UFR20Z.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | ±2.25 V ~ 5.5 V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Współczynnik temperaturowy (Typ): | ±45 ppm/°C |
| Stożek: | Linear |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 20-QFN-EP (5x5) |
| Seria: | XDCP™ |
| Odporność - Wiper (Ohms) (Typ): | 70 |
| Oporność (Ohm): | 50k |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 20-VQFN Exposed Pad |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Liczba kranów: | 256 |
| Liczba obwodów: | 4 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Typ pamięci: | Non-Volatile |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Berło: | SPI |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | Digital Potentiometer 50k Ohm 4 Circuit 256 Taps SPI Interface 20-QFN-EP (5x5) |
| Konfiguracja: | Potentiometer |
| Podstawowy numer części: | ISL22444 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ISL22444UFR20Z
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia