ISL21440IRTZ jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ISL21440IRTZ, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ISL21440IRTZ przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ISL21440IRTZ z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ISL21440IRTZ
- Part Number:
- ISL21440IRTZ
- Producent:
- Intersil
- Opis:
- IC VREF W/COMPARATOR 8TDFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 50275 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ISL21440IRTZ.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze / podwójne (±): | 2.7 V ~ 5.5 V |
| Napięcie - Wejście offset (Max): | 3.6mV |
| Rodzaj: | with Voltage Reference |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-TDFN (3x3) |
| Seria: | - |
| Opóźnienie propagacji (Max): | 200µs |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 8-WFDFN Exposed Pad |
| Typ wyjścia: | CMOS, TTL |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Ilość elementów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Histereza: | - |
| szczegółowy opis: | Comparator with Voltage Reference CMOS, TTL 8-TDFN (3x3) |
| Obecny - spoczynkowy (Max): | 750nA |
| Obecny - Wyjście (Typ): | - |
| Obecny - Wejście diagonalna (Max): | - |
| CMRR, PSRR (Typ): | - |
| Podstawowy numer części: | ISL21440 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ISL21440IRTZ
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia