IS61NLP51236-200B3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IS61NLP51236-200B3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IS61NLP51236-200B3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IS61NLP51236-200B3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IS61NLP51236-200B3
- Part Number:
- IS61NLP51236-200B3
- Producent:
- ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- Opis:
- IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 50529 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.IS61NLP51236-200B3.pdf2.IS61NLP51236-200B3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | - |
| Napięcie - Dostawa: | 3.135 V ~ 3.465 V |
| Technologia: | SRAM - Synchronous |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 165-TFBGA (13x15) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 165-TFBGA |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Typ pamięci: | Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 18Mb (512K x 36) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | SRAM |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| szczegółowy opis: | SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 3.1ns 165-TFBGA (13x15) |
| Częstotliwość zegara: | 200MHz |
| Czas dostępu: | 3.1ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IS61NLP51236-200B3
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego