IS49NLC96400-25B jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IS49NLC96400-25B, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IS49NLC96400-25B przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IS49NLC96400-25B z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IS49NLC96400-25B
- Part Number:
- IS49NLC96400-25B
- Producent:
- ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- Opis:
- IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 56117 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IS49NLC96400-25B.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | - |
| Napięcie - Dostawa: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Technologia: | DRAM |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 144-FCBGA (11x18.5) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 144-TFBGA |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ pamięci: | Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 576Mb (64M x 9) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | DRAM |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| szczegółowy opis: | DRAM Memory IC 576Mb (64M x 9) Parallel 400MHz 20ns 144-FCBGA (11x18.5) |
| Częstotliwość zegara: | 400MHz |
| Czas dostępu: | 20ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IS49NLC96400-25B
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia