IS34MW01G164-BLI jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IS34MW01G164-BLI, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IS34MW01G164-BLI przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IS34MW01G164-BLI z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IS34MW01G164-BLI
- Part Number:
- IS34MW01G164-BLI
- Producent:
- ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- Opis:
- IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 53138 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IS34MW01G164-BLI.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | 45ns |
| Napięcie - Dostawa: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Technologia: | FLASH - NAND (SLC) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 63-VFBGA (9x11) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 63-VFBGA |
| Inne nazwy: | 706-1636 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ pamięci: | Non-Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 1Gb (64M x 16) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | FLASH |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 45ns 63-VFBGA (9x11) |
| Czas dostępu: | 45ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IS34MW01G164-BLI
Latest Aktualności
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU