IS25WP064A-RMLE jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IS25WP064A-RMLE, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IS25WP064A-RMLE przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IS25WP064A-RMLE z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IS25WP064A-RMLE
- Part Number:
- IS25WP064A-RMLE
- Producent:
- ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- Opis:
- IC FLASH 64M SPI 133MHZ 16SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 57278 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IS25WP064A-RMLE.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | 800µs |
| Napięcie - Dostawa: | 1.65 V ~ 1.95 V |
| Technologia: | FLASH - NOR |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 16-SOIC |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Inne nazwy: | 706-1648 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ pamięci: | Non-Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 64Mb (8M x 8) |
| Interfejs pamięci: | SPI - Quad I/O, QPI, DTR |
| Format pamięci: | FLASH |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | FLASH - NOR Memory IC 64Mb (8M x 8) SPI - Quad I/O, QPI, DTR 133MHz 7ns 16-SOIC |
| Częstotliwość zegara: | 133MHz |
| Czas dostępu: | 7ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IS25WP064A-RMLE
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił