IRGB4B60KD1PBF jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IRGB4B60KD1PBF, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IRGB4B60KD1PBF przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IRGB4B60KD1PBF z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IRGB4B60KD1PBF
- Part Number:
- IRGB4B60KD1PBF
- Opis:
- IGBT 600V 11A 63W TO220AB
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 23456 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IRGB4B60KD1PBF.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 600V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | 2.5V @ 15V, 4A |
| Stan testu: | 400V, 4A, 100 Ohm, 15V |
| Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C: | 22ns/100ns |
| Przełączanie Energy: | 73µJ (on), 47µJ (off) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-220AB |
| Seria: | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 93ns |
| Moc - Max: | 63W |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Inne nazwy: | *IRGB4B60KD1PBF 63-0002PBF 63-0002PBF-ND SP001542250 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | Standard |
| Rodzaj IGBT: | NPT |
| brama Charge: | 12nC |
| szczegółowy opis: | IGBT NPT 600V 11A 63W Through Hole TO-220AB |
| Obecny - Collector impulsowe (ICM): | 22A |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 11A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IRGB4B60KD1PBF
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego