IRG7CH73K10EF jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IRG7CH73K10EF, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IRG7CH73K10EF przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IRG7CH73K10EF z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IRG7CH73K10EF
- Part Number:
- IRG7CH73K10EF
- Opis:
- IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 38465 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IRG7CH73K10EF.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | 1.6V @ 15V, 20A |
| Stan testu: | 600V, 75A, 4.7 Ohm, 15V |
| Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C: | 63ns/267ns |
| Przełączanie Energy: | - |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Die |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Die |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | Standard |
| Rodzaj IGBT: | - |
| brama Charge: | 360nC |
| szczegółowy opis: | IGBT 1200V Surface Mount Die |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IRG7CH73K10EF
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego