IRF7317PBF jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IRF7317PBF, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IRF7317PBF przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IRF7317PBF z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IRF7317PBF
- Part Number:
- IRF7317PBF
- Opis:
- MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 40854 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IRF7317PBF.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 700mV @ 250µA |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SO |
| Seria: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 29 mOhm @ 6A, 4.5V |
| Moc - Max: | 2W |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Inne nazwy: | SP001572018 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 900pF @ 15V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 27nC @ 4.5V |
| Rodzaj FET: | N and P-Channel |
| Cecha FET: | Logic Level Gate |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 20V |
| szczegółowy opis: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.6A, 5.3A 2W Surface Mount 8-SO |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 6.6A, 5.3A |
| Podstawowy numer części: | IRF7317PBF |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IRF7317PBF
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen