IRF6637TR1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IRF6637TR1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IRF6637TR1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IRF6637TR1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IRF6637TR1
- Part Number:
- IRF6637TR1
- Opis:
- MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 54073 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IRF6637TR1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 1330pF @ 15V |
| Napięcie - Podział: | DIRECTFET™ MP |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 7.7 mOhm @ 14A, 10V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Seria: | HEXFET® |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 14A (Ta), 59A (Tc) |
| Polaryzacja: | DirectFET™ Isometric MP |
| Inne nazwy: | IRF6637 IRF6637-ND SP001523990 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Numer części producenta: | IRF6637TR1 |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 17nC @ 4.5V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 2.35V @ 250µA |
| Cecha FET: | N-Channel |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 30V 14A (Ta), 59A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MP |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | - |
| Opis: | MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 30V |
| Stosunek pojemności: | 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IRF6637TR1
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia