IRAM336-025SB3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IRAM336-025SB3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IRAM336-025SB3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IRAM336-025SB3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IRAM336-025SB3
- Part Number:
- IRAM336-025SB3
- Opis:
- IC HYBRID MULTI-CHIP 500V 2A
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 24110 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IRAM336-025SB3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Izolacja: | - |
| Napięcie: | 500V |
| Rodzaj: | MOSFET |
| Seria: | - |
| Package / Case: | 19-PowerSSIP Module, Formed Leads |
| Inne nazwy: | SP001544658 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | Power Driver Module MOSFET 3 Phase 500V 2A 19-PowerSSIP Module, Formed Leads |
| Aktualny, bieżący: | 2A |
| Konfiguracja: | 3 Phase |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IRAM336-025SB3
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen