IR21141SSPBF jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IR21141SSPBF, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IR21141SSPBF przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IR21141SSPBF z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IR21141SSPBF
- Part Number:
- IR21141SSPBF
- Opis:
- IC DRVR HALF BRIDGE 600V 24-SSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 46552 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.IR21141SSPBF.pdf2.IR21141SSPBF.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 11.5 V ~ 20 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 24-SSOP |
| Seria: | - |
| Czas narastania / spadku (typ): | 24ns, 7ns |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 24-SSOP (0.209", 5.30mm Width) |
| Inne nazwy: | SP001538030 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Częstotliwość wejściowa: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Napięcie logiczne - VIL, VIH: | 0.8V, 2V |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | Non-Inverting |
| Wysoka strona napięcie - Max (Bootstrap): | 600V |
| Typ bramy: | IGBT |
| Konfiguracja napędzana: | Half-Bridge |
| szczegółowy opis: | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 24-SSOP |
| Prąd - szczytowe wyjście (źródło, zlewozmywak): | 2A, 3A |
| Baza-emiter Napięcie nasycenia (Max): | Independent |
| Podstawowy numer części: | IR21141SSPBF |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IR21141SSPBF
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił