IQ10-06NPOKT0S jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IQ10-06NPOKT0S, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IQ10-06NPOKT0S przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IQ10-06NPOKT0S z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IQ10-06NPOKT0S
- Part Number:
- IQ10-06NPOKT0S
- Producent:
- SICK
- Opis:
- SEN PROX 6MM NONFLUSH PNP NC M8
- Wielkość zbiorów:
- 58674 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IQ10-06NPOKT0S.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 10 V ~ 30 V |
| Termination Style: | Connector |
| Zastawianie: | Shielded |
| Seria: | - |
| Typ czujnika: | Inductive |
| Zasięg: | 0.236" (6mm) |
| Pasmo przenoszenia: | 2kHz |
| Package / Case: | Module |
| Typ wyjścia: | PNP-NC, 3-Wire |
| Inne nazwy: | 1055462 |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 75°C (TA) |
| Materiał - Ciało: | Plastic |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 3 Weeks |
| Stopień ochrony: | IP68 |
| Wskaźnik: | LED |
| szczegółowy opis: | Inductive Proximity Sensor 0.236" (6mm) IP68 Module |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IQ10-06NPOKT0S
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia