IPSUAT-GP3K6-5 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IPSUAT-GP3K6-5, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IPSUAT-GP3K6-5 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IPSUAT-GP3K6-5 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IPSUAT-GP3K6-5
- Part Number:
- IPSUAT-GP3K6-5
- Producent:
- Cynergy3
- Opis:
- PRESSURE TRANS 0-3600PSIG 4-20MA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 50449 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IPSUAT-GP3K6-5.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 10 V ~ 28 V |
| Termination Style: | Connector |
| Seria: | IPSUAT |
| Pressure Type: | Gauge |
| Styl portów: | Threaded |
| Port Rozmiar: | Male - 1/4" (6.35mm) NPT |
| Package / Case: | Chassis Mount |
| Typ wyjścia: | Analog Current |
| Wydajność: | 4 mA ~ 20 mA |
| Inne nazwy: | 725-1586 IPSUAT-GP3K6-5-ND |
| temperatura robocza: | -20°C ~ 75°C |
| Ciśnienie robocze: | 3600 PSI (24821.13 kPa) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Maksymalne ciśnienie: | 6000 PSI (41368.54 kPa) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | Amplified Output, Temperature Compensated |
| szczegółowy opis: | Pressure Sensor 3600 PSI (24821.13 kPa) Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 4 mA ~ 20 mA Chassis Mount |
| Precyzja: | ±0.25% |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IPSUAT-GP3K6-5
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen