IPP023NE7N3GXKSA1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IPP023NE7N3GXKSA1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IPP023NE7N3GXKSA1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IPP023NE7N3GXKSA1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IPP023NE7N3GXKSA1
- Part Number:
- IPP023NE7N3GXKSA1
- Opis:
- MOSFET N-CH 75V 120A TO220
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 36716 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IPP023NE7N3GXKSA1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.8V @ 273µA |
| Vgs (maks.): | ±20V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PG-TO220-3-1 |
| Seria: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 2.3 mOhm @ 100A, 10V |
| Strata mocy (max): | 300W (Tc) |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Inne nazwy: | IPP023NE7N3 G IPP023NE7N3 G E8177 IPP023NE7N3 G E8177-ND IPP023NE7N3 G-ND IPP023NE7N3 GTR IPP023NE7N3 GTR-ND IPP023NE7N3GE8177AKSA1 SP000641722 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 14400pF @ 37.5V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 206nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 75V |
| szczegółowy opis: | N-Channel 75V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IPP023NE7N3GXKSA1
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia