ILD256T jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ILD256T, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ILD256T przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ILD256T z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ILD256T
- Part Number:
- ILD256T
- Producent:
- Vishay / Semiconductor - Opto Division
- Opis:
- OPTOISOLTR 4KV 2CH TRANS 8-SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 37300 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ILD256T.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście (Max): | 70V |
| Napięcie - Izolacja: | 4000Vrms |
| Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ): | 1.2V |
| Vce Nasycenie (Max): | 400mV |
| Włączanie / Wyłączanie Czasu (Typ): | - |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SOIC |
| Seria: | - |
| Czas narastania / spadku (typ): | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Typ wyjścia: | Transistor |
| Inne nazwy: | 751-1317-1 ILD256TGICT ILD256TGICT-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 100°C |
| Liczba kanałów: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | AC, DC |
| szczegółowy opis: | Optoisolator Transistor Output 4000Vrms 2 Channel 8-SOIC |
| Obecny współczynnik przenikania (min): | 20% @ 10mA |
| Obecny współczynnik przenikania (Max): | - |
| Obecny - Wyjście / Channel: | - |
| Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.): | 30mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ILD256T
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia