IGW25N120H3FKSA1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IGW25N120H3FKSA1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IGW25N120H3FKSA1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IGW25N120H3FKSA1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IGW25N120H3FKSA1
- Part Number:
- IGW25N120H3FKSA1
- Opis:
- IGBT 1200V 50A 326W TO247-3
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 59517 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IGW25N120H3FKSA1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | 2.4V @ 15V, 25A |
| Stan testu: | 600V, 25A, 23 Ohm, 15V |
| Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C: | 27ns/277ns |
| Przełączanie Energy: | 2.65mJ |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PG-TO247-3 |
| Seria: | TrenchStop® |
| Moc - Max: | 326W |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Inne nazwy: | IGW25N120H3 IGW25N120H3-ND SP000674424 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 52 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | Standard |
| Rodzaj IGBT: | Trench Field Stop |
| brama Charge: | 115nC |
| szczegółowy opis: | IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 326W Through Hole PG-TO247-3 |
| Obecny - Collector impulsowe (ICM): | 100A |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 50A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IGW25N120H3FKSA1
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen