IDT72T54262L6-7BBI jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IDT72T54262L6-7BBI, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IDT72T54262L6-7BBI przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IDT72T54262L6-7BBI z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IDT72T54262L6-7BBI
- Part Number:
- IDT72T54262L6-7BBI
- Producent:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Opis:
- IC FIFO DDR/SDR QUAD/DUAL 324BGA
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 20150 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IDT72T54262L6-7BBI.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.375V ~ 2.625V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 324-PBGA (19x19) |
| Seria: | 72T |
| retransmisji Capability: | No |
| Programowalne Flagi Pomoc: | Yes |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 324-BGA |
| Inne nazwy: | 72T54262L6-7BBI |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 4 (72 Hours) |
| Rozmiar pamięci: | 5M (128K x 20 x 2)(128K x 10 x 4) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Funkcjonować: | Synchronous |
| Pomoc FWFT: | Yes |
| Rodzaj Expansion: | - |
| Szybkość przesyłania danych: | 150MHz |
| Obecny - Dostawa (Max): | 350mA |
| Autobus Directional: | Uni-Directional |
| Podstawowy numer części: | 72T54262 |
| Czas dostępu: | 3.8ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IDT72T54262L6-7BBI
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash