IDT72T54262L6-7BBI متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IDT72T54262L6-7BBI، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IDT72T54262L6-7BBI عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IDT72T54262L6-7BBI مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IDT72T54262L6-7BBI
- رقم القطعة:
- IDT72T54262L6-7BBI
- وصف:
- IC FIFO DDR/SDR QUAD/DUAL 324BGA
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 20150 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IDT72T54262L6-7BBI.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 2.375V ~ 2.625V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 324-PBGA (19x19) |
| سلسلة: | 72T |
| القدرة بإعادة إرسال: | No |
| أعلام برمجة دعم: | Yes |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 324-BGA |
| اسماء اخرى: | 72T54262L6-7BBI |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 4 (72 Hours) |
| حجم الذاكرة: | 5M (128K x 20 x 2)(128K x 10 x 4) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| وظيفة: | Synchronous |
| دعم FWFT: | Yes |
| نوع التوسع: | - |
| معدل البيانات: | 150MHz |
| الحالي - توريد (ماكس): | 350mA |
| حافلة الاتجاه: | Uni-Directional |
| رقم جزء القاعدة: | 72T54262 |
| وقت الدخول: | 3.8ns |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIDT72T54262L6-7BBI
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي