IDT71V65803S100PFI8 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IDT71V65803S100PFI8, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IDT71V65803S100PFI8 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IDT71V65803S100PFI8 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IDT71V65803S100PFI8
- Part Number:
- IDT71V65803S100PFI8
- Producent:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Opis:
- IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 46400 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IDT71V65803S100PFI8.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | - |
| Napięcie - Dostawa: | 3.135 V ~ 3.465 V |
| Technologia: | SRAM - Synchronous ZBT |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 100-TQFP (14x14) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 100-LQFP |
| Inne nazwy: | 71V65803S100PFI8 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ pamięci: | Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 9Mb (512K x 18) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | SRAM |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| szczegółowy opis: | SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 100MHz 5ns 100-TQFP (14x14) |
| Częstotliwość zegara: | 100MHz |
| Podstawowy numer części: | IDT71V65803 |
| Czas dostępu: | 5ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IDT71V65803S100PFI8
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny