Az IDT71V65803S100PFI8 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az IDT71V65803S100PFI8 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetIDT71V65803S100PFI8e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon IDT71V65803S100PFI8 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
IDT71V65803S100PFI8
- Cikkszám:
- IDT71V65803S100PFI8
- Leírás:
- IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP
- Ólommentes állapot:
- Ólom / RoHS nem megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 46400 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- IDT71V65803S100PFI8.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Write Cycle Time - Szó, oldal: | - |
| Feszültségellátás: | 3.135 V ~ 3.465 V |
| Technológia: | SRAM - Synchronous ZBT |
| Szállító eszközcsomag: | 100-TQFP (14x14) |
| Sorozat: | - |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 100-LQFP |
| Más nevek: | 71V65803S100PFI8 |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Memória típusa: | Volatile |
| Memória mérete: | 9Mb (512K x 18) |
| Memória interfész: | Parallel |
| Memória formátum: | SRAM |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Részletes leírás: | SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 100MHz 5ns 100-TQFP (14x14) |
| Órafrekvencia: | 100MHz |
| Alap rész száma: | IDT71V65803 |
| Hozzáférési idő: | 5ns |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IDT71V65803S100PFI8-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos