IDT5V2310NRGI8 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IDT5V2310NRGI8, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IDT5V2310NRGI8 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IDT5V2310NRGI8 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IDT5V2310NRGI8
- Part Number:
- IDT5V2310NRGI8
- Producent:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Opis:
- IC CLK BUF 1:10 200MHZ 20VFQFPN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 46722 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IDT5V2310NRGI8.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.3 V ~ 3.6 V |
| Rodzaj: | Fanout Buffer (Distribution) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 20-VFQFPN (3.5x4.5) |
| Seria: | - |
| Ratio - Wejście: Wyjście: | 1:10 |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 20-VFQFN Exposed Pad |
| Wydajność: | LVTTL |
| Inne nazwy: | 5V2310NRGI8 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wkład: | LVTTL |
| Częstotliwość - Max: | 200MHz |
| Różnica - Wejście: Wyjście: | No/No |
| szczegółowy opis: | Clock Fanout Buffer (Distribution) IC 1:10 200MHz 20-VFQFN Exposed Pad |
| Podstawowy numer części: | IDT5V2310 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IDT5V2310NRGI8
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen